Модуль памяти Samsung DDR4 32Gb 3200MHz M471A4G43AB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
Модуль памяти Samsung DDR4 32Gb 3200MHz M471A4G43AB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)-
-
CAS Latency (CL)22
-
RAS to CAS Delay (tRCD)-
-
Row Precharge Delay (tRP)-
-
Вес (грамм)-
-
Высота (мм)-
-
Габариты (мм)69 x 30 x 7
-
Гарантия3 года
-
Дополнительная информация-
-
Количество контактов260
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Количество чипов на модуле-
-
КомплектацияОперативная память
-
Компоновка чипов на модулеДвусторонняя
-
Линейка-
-
МодельM471A4G43AB1-CWE
-
Название серии-
-
Напряжение (В)1.2
-
НизкопрофильнаяНет
-
Нормальная операционная температура (Tcase)85 °C
-
Общий объем памяти (ГБ)32
-
Объем одного модуля (ГБ)32
-
Поддержка ECCНет
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка водяного охлажденияНет
-
ПодсветкаНет
-
Потребление энергии-
-
ПроизводительSamsung
-
Пропускная способность (МБ/с)25600
-
РадиаторНет
-
Расширенная операционная температура (Tcase)95 °C
-
Страна-производительФилиппины
-
Тайминги-
-
Тип памяти DDRDDR4
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Тип памятиSO-DIMM
-
Тип поставкиOEM
-
ЦветРазноцветный
-
Частота (MHz)DDR3 - 3200
-
Чип-
-
длина(см)7,00
-
ширина(см)0,30
-
высота(см)3,00
-
масса(кг)0,01
-
сайт производителя