Модуль памяти Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Модуль памяти Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)-
-
CAS Latency (CL)-
-
RAS to CAS Delay (tRCD)-
-
Row Precharge Delay (tRP)-
-
Вес (грамм)-
-
Высота (мм)-
-
Габариты (мм)-
-
Гарантия3 года
-
Дополнительная информация-
-
Количество контактов262
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Количество чипов на модуле-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Линейка-
-
МодельM425R1GB4BB0-CWM
-
Напряжение (В)1.1
-
НизкопрофильнаяНет
-
Нормальная операционная температура (Tcase)-
-
Общий объем памяти (ГБ)8
-
Объем одного модуля (ГБ)8
-
Поддержка ECCНет
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка водяного охлаждения-
-
ПодсветкаНет
-
Потребление энергии-
-
ПроизводительSamsung
-
Пропускная способность (МБ/с)44800
-
РадиаторНет
-
Расширенная операционная температура (Tcase)-
-
Страна-производительФилиппины
-
Тайминги-
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Цвет-
-
Частота (MHz)DDR5 - 5600
-
Чип-
-
длина(см)6,70
-
ширина(см)0,10
-
высота(см)3,00
-
масса(кг)0,01
-
сайт производителя